基于MOS管驱动变压器隔离电路分析和应用

如图所示,图中TE为高压工频变压器.变压器次级楼一级由二极管D1,D2和电容器C1,C2构成的全波二倍压电路,向激光器提供所需的工作电压和电流.接着,加一级由D2~D5和C3~C5组成的二倍压电路,与

低端驱动:MOS管相对于负载在电势的低端,其中D通过负载接电源,S直接接地。对于NMOS,只有当Vgs大于开启电压时,MOS管才能导通。所以当未导通时,S处于一个不能确定的电位。若让Vgs大于开启电压

因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。的驱动常根据和的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSF

在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFE

H桥是一个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母H，故得名与“H桥”。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（注意：图中只是简略示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没

MOS管驱动步进电机正反转电路图

上图有两个问题：1、浮地电容太大，影响快速开关；2、高端驱动利用的是浮地电容中的电荷，选取电容时要使用漏电流小的瓷片电容，尽量保证高端驱动时有足够的驱动电压。上图在每个高端MOSFET 的栅极和源极之

施耐德Phaseo系列开关电源和安全隔离变压器产品目SCDOC693-LEC-CN

电机驱动大功率驱动

用MOS 管 搭的H桥电机驱动，很稳定，驱动能力很强