高效率低谐波失真E类RF功率放大器设计

笔者采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器,其工作频率为1.8GHz,工作电压为1.5V,输出功率为26dBm,并具有高效率和低谐波失真的特点,适用于FM/FSK等恒包络调制信号的功率放大。为了达到设计目标,该功率放大器采用了一些特殊的方法,包括采用两级放大结构,差分和互补型交叉耦合反馈结构。