本文开发的晶片键合质量的红外检测系统具有成本低、实现原理和方法简单等优点。利用该检测仪,可以快速获得晶片的键合率和缺陷分布状况,从而实现晶片键合质量的快速评估。分析和比较了不同工艺条件下键合片的键合质量,包括键合率和空洞分布,结合键合强度等参数,可以有助于理解晶片键合的机理,从而指导键合工艺,优化工艺参数。