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GaN基LED研究的最新进展 ,汤莉莉,唐吉玉,简述了LED的发展历史,讨论了国际上最新研究出的GaN基LED的结构和工作原理,以及为改善GaN基LED性能而采取的一些手段,同时也对这些方

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介绍了65 nm和45 nm节点国际主流光刻机的最新研发进展,重点分析了目前提高光刻机性能的关键技术,讨论了目前各公司的主流机型及其性能参数,最后简要介绍了下一代光刻技术的研究进展。

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