新型GeSe2-In2Se3-CsI硫卤玻璃的形成与性能,许银生,曾惠丹,本工作确定了GeSe2-In2Se3-CsI三元系统的玻璃形成区,利用密度、差热分析、可见-近红外光谱和红外光谱等技术,对(1-2x)GeSe2- x(In2Se3-CsI)(x=0.