非传统MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法(三)

飞兆半导体公司 (Fairchild) 推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P,可为各种低压 (<20V) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电

随着技术不断发展,对功率的要求也越来越高,传统放大器已无法满足实际应用的需要。本文介绍一种异相功率放大器,不仅能提高功率,而且在较高功率水平下仍能维持很高的效率。传统802.11a正交频分()系统的高

本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。

硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损

功率MOSFET的开通和关断原理pdf,开通过程[t0~t4]：在t0前，MOSFET工作于截止状态，t0时，MOSFET被驱动开通；[t0-t1]区间，MOSFET的GS电压经Vgg对Cgs充电而上

功率MOSFET的开通和关断原理rar,开通过程[t0~t4]：--在t0前，MOSFET工作于截止状态，t0时，MOSFET被驱动开通；--[t0-t1]区间，MOSFET的GS电压经Vgg对Cgs

到目前为止的实验,如果只从响应特性上看,功率MOSFET的驱动都落在了如何使用晶体管互补推挽电路上,这里也可使用盒式的电路IC。 图1是功率MOSFET的门驱动用IC为EL7212C(图2)的例子

摘要：文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性，并对动态特性的改进进行了论述，简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词：MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展

本文将介绍功率MOSFET(场效应管)的结构、工作原理及基本工作电路。

通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电流减小,温度降低,从而实现自