nand_flash_read

NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(

三星公司 NAND FLASH 闪存芯片型号命名规则

这个是MLC NAND Flash BCH的纠错码算法文档，里面有C的源文件，请在Unix下用GCC编译，VC下请自行修改。

Nand_Flash详述(绝对经典)，讲的比较详细，适合初学者

介绍NAND512-A系列FLASH的手册

兆易电子的1Gb/2GbSPINANDFlashMemory数据手册，可作为软件驱动开发人员参考。

51单片机对nandflash读写/*Project:nandflashtest*//*File:flash.h*//*Organization:cug-120050180*//*Author:yuy

Inside_NAND_Flash_Memories.pdf

NAND_Flash的坏块处理坏块检测

使用VS2010移植的标准BCH编解码程序，可以自定义BCH的参数，编解码的结果与主流硬件BCH一直，用于BCH纠错测试验证；也可以用作BCH算法的学习，有兴趣的朋友可以看看。，