安森美半导体ESD保护器件NZL5V6AXV3T1 D 数据手册.pdf

产品型号:NZL6V8AXV3T1齐纳击穿电压Vz最小值(V):0.240齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.460齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.800@Izt(mA):7.140齐纳阻抗Zzt(Ω

2007年11月19日,全球的高能效电源半导体解决方案供应商安森美半导体 (ON Semiconductor) 针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件(TSPD),扩充了公司的电路保护解

产品型号:NZL7V5AXV3T1齐纳击穿电压Vz最小值(V):0.240齐纳击穿电压Vz典型值(V):7.120齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.500@Izt(mA):7.880齐纳阻抗Zzt(Ω

电源管理和电路保护半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的超低电容静电放电(ESD)保护器件系列的首款产品。新的ESD9L是一款单线ESD保护器件,提供0.5皮法(

高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出采用超小SOT-953封装的新系列低电容ESD保护阵列。这些器件封装尺寸仅为1.0mm×1.0mm×0.5mm,是讲

安森美半导体 (ON Semiconductor) 针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件(TSPD),扩充了公司的电路保护解决方案阵容。 NPxxx系列的44款器件为中心局(CO)

日前,安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的超低电容晶闸管浪涌保护器件(TSPD)——NP-MC系列,保护敏感的电子设备免受瞬态过压情况下的影响。NP-MC系列器件的电容值比市场上现

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受市场动力、人口趋势、政府政策、医疗行业结构及增长等综合因素的推动，中国医疗设备行业颇具发展前景。医疗设备制造商要想走在

ESD经常发生，影响到所有手持设备。必须对IC加以保护，因为其中大多数无法承受高于2 kV的ESD。安森美半导体的ESD保护器件以最快的响应时间和最低的钳位电压钳制IEC 61000-4-2 ESD抑