NAND FLASH磨损控制

先对ONFI标准进行了介绍,然后再设计了一种支持ONFI2.1标准源同步高速模式的NAND Flash控制器,包括状态机的设计,接口的设计等。对设计中遇到的源同步模式下,信号的对齐问题进行了说明,并提

NANDFLASH控制器的FPGA实现，桑坚，刘洪瑞，NANDFALSH结构特点，提高了存储密度，降低了每比特的成本，与NORFLASH相比写入速度大大提高。但是NANDFLASH采用复用的数据线和地

首先还是启动方式NAND Flash的过程,因为NAND Flash是不支持程序在NAND内部运行的所以要把NAND搬到内存中运行,由于S3C2440内部的SRAM只有4K,当程序远大于4K时,这种方

NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(

三星公司 NAND FLASH 闪存芯片型号命名规则

这个是MLC NAND Flash BCH的纠错码算法文档，里面有C的源文件，请在Unix下用GCC编译，VC下请自行修改。

Nand_Flash详述(绝对经典)，讲的比较详细，适合初学者

介绍NAND512-A系列FLASH的手册

兆易电子的1Gb/2GbSPINANDFlashMemory数据手册，可作为软件驱动开发人员参考。

51单片机对nandflash读写/*Project:nandflashtest*//*File:flash.h*//*Organization:cug-120050180*//*Author:yuy