用集成驱动器优化GaN性能
氮化镓 (GaN) 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET,因为在同等导通电阻的情况下,氮化镓 (GaN) 晶体管 的终端电容较低,并避免了体二极管所导致的反向恢复损耗。下面一起来学习一下
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