目前,在驱动功率MOSFET时,广泛使用的 是传统的硬开关式栅极驱动电路,该类驱动电路 主要有以下缺点:1驱动电路本身的功率损耗较 大,限制了其在高频情况下的应用;2必须具备电 平移动的功能,增加了电路的复杂性;3充放电回 路中的寄生电感会引起电路的振荡,这对电路的 稳定性是不利的