当单片机将总线t0时刻从高拉至低电平时,就产生写时间隙。见上图,从t0时刻开始 15us之内应将所需写的位送到总线上。DS18B20在t0后15-60us间对总线采样,若低电平写入的位是0;若高电平,写入的位是1。连续写2位间的间隙应大于1us。