美国加利福尼亚州圣何塞,2016年7月6日 —嵌入式系统解决方案领域的领导者赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票交易代码:CY)今日宣布其基于低引脚数HyperBus:trade_mark:接口的全新高速自刷新动态RAM(DRAM)现开始提供样片。该款64Mb HyperRAM:trade_mark:可用作汽车、工业和消费等各类应用的外置便笺式存储器,用于渲染高分辨率图形或运行数据密集型固件算法。该器件 拥有高达333 MBps的读写带宽,并支持3V和1.8V供电电压。 与赛普拉斯的HyperFlash:trade_mark: NOR闪存配合使用时,HyperRAM可通过让闪存和R