近十年来,在高速成长的非易失性存储器(NVM)市场的推动下,业界一直在试图利用新材料和新概念发明一种更好的存储器技术,以替代闪存技术,更有效地缩小存储器,提高存储性能。目前具有突破性的存储技术有铁电RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相变RAM(PRAM)或其他相变技术。本文将分别介绍这些技术的特点、比较和研发进展。 新一代存储技术显现 “多、快、省”特点 MRAM是一种非易失性磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,基本上可以无限次重复写入。其设计原理非常诱人,它通过控制铁磁体中的电子旋转方向来达到改