为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求,本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下,采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成,实现了VBE和VT的线性叠加,获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明,在3.3V电源电压下,当温度在-20~70°C之间变化时,该电路输出电压的温度系数为10x10-6/°C,输出电压的标准偏差为1mV,室温时电路的功耗为5.283 1mW,属于低温漂、低功耗的基准电压源。 近年来,集成电路的快速发展,基准电压源在模拟集成电路、数模混合电路以及系统集成芯片(SOC)中都有着非常广泛的应用,