元器件应用中的如何降低MOSFET损耗并提升EMI性能

摘要:率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱

Diodes公司推出两款N沟道MOSFET,为* (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路的复杂性和成本。 ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计

本文这种方法涉及了对电源开关频率的调制,以引入边带能量,并改变窄带噪声到宽带的发射特征,从而有效地衰减谐波峰值。需要注意的是,总体EMI性能并没有降低,只是被重新分布了。

选择电感为便携式电源应用选择电感,需要考虑的最重要的三点是:尺寸大小、尺寸大小,第三还是尺寸大小。移动电话的电路板面积十分紧俏珍贵,随着MP3 播放器、电视和视频等各种功能被增加到电话中时,尤其如此。

设计人员在考虑无源器件时,他们想到的是电感电容的生产容限,一般为± 20% 或±10%。这在理论上是对的,但在实际应用中却不然。某一特定频率下,在一个陶瓷电容上加直流偏置电压或在电感上加载电流会改变这

将万用表置于R×1k档,测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔所接引脚为正极)为3~10 kΩ左右,反向电阻值为500 kΩ以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则说

方法一:用万用表的Rx1k挡测量双向触发二极管的正向电阻和反向电阻,其阻值均为。为正常,如果测得的阻值比∞小得多或为0时,表明被测管不能使用。 方法二:准备好兆欧表、万用表,按图1接好。 图1

MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。本文将讨论如何

开关电源小型化设计中，提高开关频率可有效提高电源的功率密度。但随着开关频率提升，电路电磁干扰（EMI）问题使电源工程师面临了更大的挑战。本文以反激式开关拓扑为例，从设计角度，讨论如何降低电路EMI。为

随着社会的不断进步,物联网的发展,电子产品的室外应用场景,持续高增长,电子产品得到了极其广泛的应用,无论是公共事业,还是商用或者民用, 已经深入到各个领域,这也造成了产品功能的多样化、应用环境的复杂化