采用TSMC 180 nm的CMOS工艺,设计实现了一个具有高效率、大的电容负载驱动能力的三级运算放大器。提出了一种基于共源共栅密勒补偿(Cascode Miller Compensation,CMC)和交流升压补偿(AC Boosting Compensation,ACBC)的ACBC-C补偿结构,其中,ACBC通过增加一条交流通路的方式提高了GBW以及电容驱动能力。输出级采用AB类结构以实现高效率。CMC可以适应AB类输出级结构,在保证线性度的同时实现效率最大化,并且消除密勒电容带来的零点,更好地对稳定性进行补偿。电路仿真结果表明:当设定相位裕度下限为45°时,最大可承受负载电容约为3 1