半导体业自28纳米进步到22/20纳米,受193i光刻机所限,必须采用两次图形曝光技术(DP)。再进一步发展至16/14纳 米时,大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级,加上193i的光学技术延伸,采用SADP、SAQP等,所以未来到10纳米甚至 7纳米时,基本上可以使用同样的设备,似乎己无悬念,只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎,因为如果EUV不能准备好,就要被迫采用 五次图形曝光技术(FP),这已引起全球业界的关注。 而对于更先进5纳米生产线来说,至今业界尚无关于它的投资估计。但是根据16/14 纳米的经验,以每1000硅片需要1.5亿至1.