1 引言 随着电力电子器件和高频逆变技术的高速发展, 各种采用大功率逆变技术的电源变换装置被大量应用于各种行业, 如变频器、电镀、电弧炉、UPS、电气化机车、通信电源、电焊机等, 而IGBT 由于其集双极型功率晶体管和功率MOSFET 的优点于一体的相对优异的综合电性能指标, 在上述电源变换装置中被广泛使用。 为了最大限度发挥IGBT 的优越性, 各生产厂家相继研制出各种驱动和保护电路并推向市场, 如三菱公司的M57959 /57962、富士电机的EXB840/841、东芝公司的TLP250、惠普公司的HCLP- 316J、西门康的SKH I22A /B 等, 其中由于M5795