MOS芯片的ESD保护电路设计

是一个IGBT的驱动电路设计,包含退保和过流保护电路。本文首先谈论了IGBT的驱动电路的基本要求和过流保护分析,然后运用IGBT集电极退饱和原理,提供了一个采用分立元件构成IGBT驱动电路和过流保护电

如图所示为扬声器保护电路。它设计为左、右通道独立工作。图中(以左通道为例)的R2、C4及VT2、VT3组成开机延时电路,以防止开机大电流冲击扬声器。

分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该

开关电源保护功能虽属电源装置电气性能要求的附加功能,但在恶劣环境及意外事故条件下,保护电路是否完善并按预定设置工作,对电源装置的安全性和可靠性至关重要。验收技术指标时,应对保护功能进行验证。 开关

MOSFET驱动保护电路设计与应用.pdf

集成电路设计保护波器是利用电子示波管的特性，将人眼无法直接观测的交变电信号转换成图像，显示在荧光屏上以便测量的电子测量仪器。它是观察数字电路实验现象、分析实验中的问题、测量实验结果必不可少的重要仪器。

用XILINX公司系列FPGA-SPARTAN芯片,在QuartusII5.0开发环境下采用VHDL语言输入方法开发设计出了高分辨率全帧CCD TH7888A的驱动电路,能够产生满足TH7888A要求

布局布线原则 1,差分线的阻抗标准是100欧( /-10%) 2,ESD器件一定要靠近HDMI的端子放置 3,信号线的匹配电阻起防ESD作用和微调阻抗用途，通常靠近插座放置,但是两个电阻必须是并排放置

基于BiCMOS工艺设计低温漂、高电源抑制比的自偏置带隙基准电压源及过温保护复合电路。带隙基准采用自偏置电流源和差分运放一体化结构,过温保护电路用NPN管采集电流大小实现振荡器的起振或关断。仿真结果表

本文主要讲了用mos管的防反接保护电路图，希望对你的学习有所帮助。