一、IGBT管简介 IGBT管是绝缘栅双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor)的简称,它是80年代初诞生,90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的,其输入级为MOSFET,输出级为PNP型大功率三极管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件输入阻抗高 响应速度快 热稳定性好和驱动电路简单的优点,又具有双极型器件通态电压低 耐压高和输出电流大的优点,其频率特性介于MOS-FET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,