采用超级接面结构设计的新型低压MOSFET已逐渐在市场上崭露头角,其不仅可克服现有功率MOSFET结构的缺点,亦能达到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性,确保在兼顾晶片尺寸与功耗的前提下,提升DC-DC转换效率与功率密度。