摘 要: 氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点, 使其具有带宽宽, 高效特性等优点。为了研究GaN 功率放大器的特点, 使用了Ag ilent ADS 等仿真软件, 进行电路仿真设计, 设计制作了一种S 波段宽带GaN 功率放大器。详述了电路仿真过程, 并对设计的宽带GaN 功率放大器进行测试, 通过测试的实验数据表明, 设计的宽带放大器在S 波段宽带内可实现功率超过44 dBm 的功率输出, 验证了GaN 功率放大器具有宽带的特点。 新一代半导体功率器件主要有SiC 场效应晶体管和GaN 高电子迁移率晶体管。有别于第一代的Si 双极型功率晶体管和第二代GaAs 场效晶体管, 新一代S