计算大多数半导体器件结温的过程广为人知。通常情况下,外壳或引脚温度已知。测量裸片的功率耗散,并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示),以计算外壳至结点的温升。这种方法适用于所有单裸片封裝,包括双极结晶体管(BJT)、MOSFET、二极管及晶闸管。但对多裸片绝缘门双极晶体管(IGBT)而言,这种方法被证实不足以胜任。 某些IGBT是单裸片器件,要么结合单片二极管作,要么不结合二极管;然而,大多数IGBT结合了联合封装的二极管。大多数制造商提供单个θ值,用于计算结点至外壳热阻抗。这是一种简化的裸片温度计算方法,会导致涉及到的两个结点温度分析不正确。对于多裸片器件而言,θ值通常不