介绍了一种基于衬底驱动技术的低电压低功耗运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET,有效避开阈值电压限制;输出采用改进前馈式AB类输出级,确保了输出级晶体管的电流能够得到精确控制,使输出摆幅达到轨至轨。整个电路采用PTM标准0.18 μm CMOS工艺参数进行设计,用Hspice进行仿真。模拟结果显示,测得直流开环增益为62.1 dB,单位增益带宽为2.13 MHz,相位裕度52°,电路在0.8 V低电压下正常运行,电路平均功耗只有65.9 μW。