图1为CMOS模拟开关电路原理图。它克服了NMOS模拟开关电路Ron虽vI增大而增大的缺点,扩大输入信号幅度的范围;而且可以在CMOS电路基础上增设辅助电路,消除NMOSFET的衬底效应对Ron的影响。 图1 CMOS开关电路原理 假定控制信号vc高电平VCH=VDD为逻辑“1”,低电平VCL=-Vss(取Vss=VDD)为逻辑“0”.T1衬底电压VB1=-Vss,T2衬底电压VB2=VDD.从图可知,vc直接输送到T1的栅极,而T2的栅极电压是vc经非门(T3、T4组成)倒相后的电压。当vc=“1”时,VG1=VDD,VG2=-Vss.所以当vI为接近-Vss低电平时,v