本文先对mos失效的原因总结以下六点,然后对1,2重点进行分析: 1:雪崩失效(电压失效),也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压,并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。 2:SOA失效(电流失效),既超出MOSFET安全工作区引起失效,分为Id超出器件规格失效以及Id过大,损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。 3:体二极管失效:在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中,由于体二极管遭受破坏而导致的失效。 4:谐振失效:在并联使用的过程中,栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。 5:静电失效:在