介绍一种关于双峰效应(Double-Hump)的评估方法。通过对MOSFET的Id~Vg曲线的分析,双峰效应的程度可以用数字化评估。采取这种量化表征,细致地研究了双峰效应与掺杂浓度的关系。建立了MOS的Vt和Punch-through的粒子注入有效浓度和双峰效应的相互关系模型。它们之间的相互关系与现存的理论一致。