采用新型IGBT优化软开关应用中的损耗

针对模块电源的发展趋势和有源钳位电路的工作原理,研究了一种采用磁放大技术和固定伏特秒控制技术的有源钳位正激软开关电路,并对该电路的工作过程进行了详细的理论分析。在此基础上,设计了一款25 W的电源样机

但同时导致开关损耗增加,电磁干扰增大。而基于软开关技术的谐振变换器正是基于这样的趋势而发展起来的:可以降低开关损耗和开关噪声,进一步提高开关频率。

新型移相软开关双向DCDC拓扑电路的仿真研究pdf,

摘要:介绍了一种半桥变流器软开关的控制方法,实现了一个主开关的软开通,同时使得另一个主开关能在较低电压下开通。分析了具体的控制电路以及主电路拓扑工作原理。最后给出了相应的1V/30W实验电路模型,实验

金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路

介绍了应用TMS320F2812实现SVPWM的算法，分析了软件法和硬件法的区别

ST日前推出新系列功率晶体管,可最大限度降低电机控制电路的两大能耗源,降低家电、供暖通风空调(HVAC)系统、工业机床等日用设备对环境的影响。STGW30N120KD和STGW40N120KD是两款导

本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。

光纤使用中引起的传输损耗主要有接续损耗和非接续损耗两类。光纤的传输损耗特性是决定光网络传输距离、传输稳定性和可靠性的最重要因素之一。

国际整流器公司(International Rectifier,简称为IR)近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET-IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10