韩国研究人员通过在LED芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓LED的抗反向静电能力提高到了3kV。来自韩国光技术院(KOPTI)和光州科学技术院的研究人员声称:“这种LED芯片加工简便,可靠性高。”