惠普公司今天宣布,已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议,双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术,即使用电阻实现存储的ReRAM(Resistive Random Access Memory电阻式存储器)。 忆阻器技术的研究实际上已有数十年的历史。1971年,加州大学伯克利分校Leon Chua教授预测,在电容、电阻和电感之外,还存在第四种基本元件:记忆电阻(Memristor)。这种电阻能够通过施加不同方向、大小电压,改变其阻值。由于可以使用不同阻值代表数字信号,忆阻器在计算机存储领域应用前景广泛。它使用单个元件就可以实现一组闪存电路的功能,并且耗能更少,速度更快