摘要:本文介绍采用直接检测LDMOS 漏端电压来判断其是否过流的设计方案,给出了电路结构。通过电路分析,并利用BCD 高压工艺,在cadence 环境下进行电路仿真验证。结果证明:该方法能够快速、实时地实现过流保护功能,相比其它方法,在功耗、效率、工艺兼容性、成本等方面均有很大提高,可以直接应用于电源控制芯片中的安全保护设计。 1 引言 家电、便携电子设备和手持电器的迅猛发展,已使电源适配器芯片成为集成电路的大宗产品类。由于该类芯片中内嵌集成或需要外部连接功率LDMOS 管,应用中的LDMOS 管又需要直接和高压相联接并通过大电流(目前的LDMOS 管已经能耐受数百乃至近千伏的高压