IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET和PNP晶体管复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点,又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点,频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内。