GaN基半导体材料近年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)。目前有关GaN材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在GaN的刻蚀和欧姆接触,具体到工程设计方面的技术报道很少。本文研究讨论了芯片版图设计对GaN基LED性能的影响,可为针对不同性能要求选择芯片版图提供参考。 1 实验 我们使用的材料为用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的蓝色GaN基LED外延片,外延片为多量子阱结构。芯片制造中,n欧姆接触电极采用Ti/Al/Ti/Au结构,p欧姆接触电极用氧化Ni/Au透明电极,焊线电极为Ti/Au用一致性很好的外延片一划为