b触点型“PhotoMOS”的开发 随着PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的优势被广泛了解,人们将其用于信息通信设备、OA设备、FA设备及其他广泛的领域。为了满足大众进一步的需求,本公司开发出了“可通过机械实现、并拥有所有触点构成(b触点、c触点)”的PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器。 为实现该产品的开发,我们在功率MOSFET制造工艺中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Doping Method)且高耐压、低导通电阻的耗尽型功率MOSFET。 这种DSD法是在以往生产增强型功率MOSFET时所使用的双重扩散