在写操作过程中,写入的地址必须以字(4 个字节)为单位对齐,且指明要写入的具体地址。该地址可以用数据在存储器中的直接地址来表示,也可以用存储器区块的基址加数据的偏移地址来表示。 对 Flash 存储器的编程步骤如下: (1)把源数据写入FMD 寄存器中。 (2)把目标地址写入到FMA 寄存器中。 (3)把flash 写入匙码(flash write key)写入到FMC 寄存器,并将WRITE 位置位。(写入0xA4420001)。 (4)查询FMC 寄存器直至WRITE 位被清零。 如图 5 所示: 图 5 Flash 存储器的编程步骤示意图