元器件应用中的MOSFET的UIS及雪崩能量解析

摘要:如果是次之,可以考虑日本和台湾的品牌。当然日本的比台湾的又稍强,看你的定位了,我认为一些较简单的元件台湾的和日本的差距越来越小。如果要求更低,那么国产的器件也可以应付。当然,可靠性与元件的复杂程

本文详细介绍了MOSFET的UIS测试，也称为雪崩耐量测试，国内做这方面的人不多，好东西大家一起分享吧

本文通过等效电路分析,通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用,并精简的指出了IGBT的特点。可以说,IGBT是一个非通即断的开关,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。 I

在看到MOSFET数据表时,你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼,也一目了然,其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可,而其它的某些参数自始至终就毫无用处(比如说:开关时间)。在这个即将开始的

1.电容器主要用于交流电路及脉冲电路中,在直流电路中电容器一般起隔断直流的作用。 2.电容既不产生也不消耗能量,是储能元件。3.电容器在电力系统中是提高功率因数的重要器件;在电子电路中是获

在系统掉电的情况下,RTC单元可由后备电池供电,保证RTC的继续运行。RTC可通过STRB/LDRB指令向中央处理器传送8位BCD数据,这些数据包括秒、分、时、星期、日、月、年等。在S3C44B0嵌入

在一个电器中,尤其是在CD中,电容发挥着巨大的作用,因为在音响器材中,电容的用量是相当大的,尤其是在CD中间,很多集成块是必须的而且选择的余地几乎没有,不像功放中的放大管,可以有很多选择,因此在CD中

晶闸管是温度调节仪中功率输出的执行部件,也是易出故障的部件,晶闸管是可控硅整流器件的简称,国标CB/T 4728,5—2000则称其为反向阻断三极晶体闸流管。其图形符号和阴极侧受控反向阻断“晶闸管”的

线圈通常由骨架、绕组、磁心及屏蔽罩等组成,根据使用场合的不同,有的线圈没有屏罩,有的没有磁心,还有的连固架都没有,只有绕组。图一给出了一些电感线圈的结构。 图一 一些电感线圈的结构 1.骨架

电阻的基本单位是欧姆,习惯上简称为欧,用符号 "Ω" 表示。如果在电阻器两端施加1V的电压,能使电阻器中流过的电流为1A,那么该电阻器的阻值就是1Ω。1Ω是电阻值的基本单位,在电子