引言 近年来,光伏产业发展迅猛,提高效率和降低成本成为整个行业的目标。在晶体Si太阳电池的薄片化发展过程中,出现了许多严重的问题,如碎片、电池片隐裂、表面污染、电极不良等,正是这些缺陷限制了电池的光电转化效率和使用寿命。同时,由于没有完善的行业标准,Si片原材料质量也是参差不齐,一些缺陷片的存在直接影响到组件乃至光伏系统的稳定性。因此,太阳能行业需要有快速有效和准确的定位检验方法来检验生产环节可能出现的问题。 发光成像方法为太阳电池缺陷检测提供了一种非常好的解决方案,这种检测技术使用方便,类似透视的二维化面检测。本文讨论的是光致发光技术在检测晶体Si太阳电池上的应用。光致发光(ph