高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力,能够帮助工程师避免许多问题,并实现效率最大化。经验证明,采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET,除简单地导通电阻上的差异之外,更重要的是,还能实现更高的电流强度与更快的切换速度以及其他优越性能。 技术 高压MOSFET器件采用两种基本工艺:一种是比较常规的平面工艺;另一种是新的电荷平衡工艺。平面工艺非常稳定和耐用,但是在有源区与击穿电压一定时,导通电阻远远高于超级FET 或超级MOS的电荷平衡工艺。 对