摘要:本文首先谈论了IGBT的驱动电路的基本要求和过流保护分析,然后运用IGBT集电极退饱和原理,提供了一个采用分立元件构成的IGBT驱动电路和过流保护电路。仿真和试验结果证明了所设计驱动电路的可行性。 一 引言 绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipo1ar Transistor,IGBT)是MOSFET 与GTR 的 复合器件,因此,它既具有MOSFET 的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简 单、热温度性好的优点,又包含了GTR 的载流量大、阻断电压高等多项优点,是取代GTR 的 理想开关器件[1]。IGBT 目前被广泛使用的具有自关断能力的器件,广