一般情况下,在电路设计时大都采用直流电的继电器,也可以根据控制电路的特点来考虑继电器使用电源的种类。其次要考虑继电器所消耗的功率,如果供给继电器线圈的功率较大,而且有足够的地方安装,又对继电器的重量没
按图所示,在继电器回路中串接RC电路。电路中串接的电阻阻值可选1-3倍的继电器线圈电阻。C可选100-1000μF的电解电容。采取这种方法后,维持电流将降至额定电流的1/3。 图:串接RC减小继电器功
由于CMOS工艺通常只提供单电压工作,不允许探测器电压高于电路工作电压,而且深亚微米的CMOS只采用低电 压工作,这就减小了探测器耗尽区宽度,影响了探测器速度。因此采用BiCMOS工艺以解决低电压对探
和利用双极工艺中隐埋层集电极实现探测器和接收器集成相比,利用CMOS工艺集成探测器接收器所需的额外工艺 步骤要少得多。利用自备低掺杂衬底,在双阱工艺基础上只需一层额外掩模版以掩蔽二极管区调整栅开启电压
和普通的双极晶体管相比,由于SiGe HBT异质结晶体管具有更高的速度,因此被用来制作高速集成电路。本文介绍SiGe工艺PIN探测器和HBT集成的器件结构接收器电路结构及OEIC性能。 如图所示,
光电三极管也是靠光的照射量来控制电流的器件。它可等效看作一个光电二极管与一只晶体三极管的结合,所以它具有放大作用。其最常用的材料是硅,一般仅引出集电极和发射极,其外形与发光二极管一样(也有引出基极的光
松下继电器·光电耦合器TX继电器TH型样本pdf,特点:可控制7.5A的冲击电流。耐电压AC 2,000V。 两种端子形状(标准印刷电路板用端子、表面安装端子)。
松下继电器·光电耦合器-GE2a继电器样本pdf,特点:负载电压备有60V、350V、400V、600V;耐电压5,000V(加强绝缘);经济实惠;输出构成:2a。
松下继电器·光电耦合器-高频设备RP继电器样本pdf,松下继电器·光电耦合器-高频设备RP继电器样本。
松下继电器·光电耦合器-TX-D Relays继电器样本pdf,松下继电器·光电耦合器-TX-D Relays继电器样本。