日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型500V电压的功率MOSFET——SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C,将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。 新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的额定电压,在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27Ω。低RDS(on)意味着更低的传导损耗,从而为各种电子系统中的功率因数校正(PFC)和脉