英飞凌科技(Infineon TEchnologies)于美国波士顿所举办的IEEE MTT-S国际微波技术研讨会(International Microwave Symposium)上宣布推出可供设计宽频无线网络基站的高功率LDMOS晶体管系列产品。 新型晶体管的功率位准高达300W,视频频宽超过90MHz,完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比(peak to average power ratio)以及高数据传输速率规格。 新型晶体管系列产品所提供的高增益及高功率密度,优于在1.4-2.6GHz行动频带中运作的其它装置。如此将可使用体积减少30%的套件,设计