在图1中,S1,S2,S3,S4采用的是功率MOSFET器件。功率MOSFET是压控元件,具有输入阻抗大、开关速度快、无二次击穿现象等特点。由于功率MOSFET是单极性多子导电,故显著地减小了开关时间。决定MOSFET开关速度的因素有开关电容的导通电阻和充、放电电流的大小,故为了获得较高的采样速度需要采用大尺寸的功率MOSFET和较小值的电容。然而栅极的驱动速度在很大程度上也决定了功率MOSFET的开关速度,这就需要提供具有高速驱动能力的电路来满足这一要求。为了减小开关时间,可对MOSFET的驱动电路进行一定的改进。在实际应用中,功率MOSFET的输出级还要带负载,因此影响开关速度的大小的不光