0 引言 随着GaAs MMIC技术的发展和成熟,人们对高性能、小型化、超宽带开关的要求越来越迫切。GaAs MMIC开关具有开关速度快、插损小、可靠性高、驱动功耗几乎为零、体积小等特点,能够满足工程应用的系列要求。SPST开关作为电子系统中射频信号调制、信号通断的元件,现今在实际工程中已经得到广泛的应用。 本文系统地介绍了一种单片SPST开关电路研制过程。SPST开关电路结构采用具有宽频带的三并FET器件结构。这种结构具有低插入损耗和宽频带等优点。同时,对比不同的通孔数量,分析了通孔电感对电路性能的影响。 1 宽带单片SPST开关的设计 1.1 开关FET器件的工作原