显示/光电技术中的光度式自动调焦系统
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显示光电技术中的其他因素
在选用光源时还应考虑光源的供电系统复杂与否、是否需要人工冷却、使用寿命,更换方便程度以及价格等因素。 设计时可采用一定措施来改变光源的某些性能,例如对普通的钨丝灯,改变灯丝电压后,电流、温度、光通
7 2020-11-17 -
显示光电技术中的SEED智能像素
半导体多量子阱自电光效应器件是20世纪80年代后期迅速发展起来的一种新颖的光电混合型光逻辑开关器件。 SEED是美国贝尔实验室对自电光效应器件(Self Electro-OpticEffect Dev
23 2020-11-17 -
显示光电技术中的VCSEL智能像素
垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)及其阵列是一种新型的半导体激光器,是光子学器件在集成化上的一项重大突破,它可以充分发挥光子
6 2020-11-17 -
显示光电技术中的液晶知识大全
显示器是人与机器沟通的重要界面,早期以显像管(CRT/Cathode Ray Tube)显示器为主,但随着科技不断进步,各种显示技术如雨后春笋般诞生,近来由于液晶(LCD)显示器具有轻薄短小、耗电量低
14 2020-11-21 -
显示光电技术中的LCD读写时序
点阵LCD控制的主要作用是为液晶显示器提供时序信号和显示数据,以及ARM与液晶显示系统之间的接口。这里根据需求选择的ARM内置控制驱动器对应的图形液晶显示模块,LCD液晶显示芯片型号为HY12864。
30 2020-11-17 -
显示光电技术中的oled量子效率
新型平面显示器发光技术的研究是现阶段的一个研究热点, 其目标是用新型的、高效的、轻质的平面显示器来代替传统的、笨重的、耗能多的阴极射线管。目前,液晶显示器在一些领域里已经取代了阴极射线管占有平面显示器
25 2020-12-12 -
显示光电技术中的光电晶体管
基区-集电区pn结面积被扩大了的NPN晶体管显然可以被用做光电晶体管,结构如图1所示[40]。 图1 一种纂于SBC工艺的光电晶体管 简单地说,双极工艺制作的光电晶体管利用基区-集电区pn结
9 2020-11-17 -
显示光电技术中的光电探测器异质结
图1(a)是一个典型的异质结PIN[13],P型和N型区域均为InP,本征层In1 ,Ga,As生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配,并且窄的禁带宽度能使光谱响应达
22 2020-11-17 -
显示光电技术中的光电SAM APD探测器
载流子在倍增过程中会引起隧穿电流使APD噪声显著增加,特别是当倍增区的禁带宽度较窄时,这种隧穿电流变得相当可观,严重影响了APD的噪声特性。为了减小这种隧穿电流,人们设计了一种将吸收区和倍增区分开(S
23 2020-11-17 -
显示光电技术中的光电探测器基本结构
如图1(a)所示为PIN光电探测器基本结构,N型衬底上生长一层低掺杂本征层,在淀积的5102上开窗形成P型注入区。分别在N型衬底和表面做欧姆接触,其中表面的欧姆接触需要开窗以便于光线入射。为了减少入射
19 2020-11-17
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