(1)刻蚀速率:影响因素有刻蚀气体种类、活性基团的密度(例如HDP的刻蚀速率很高)、鞘层电压(通过功率、气体压力、流速、频率、浓度等工艺参量改变)。 (2)选择性:RIE主要用于图形转移,因而一般要面对刻蚀两种材料 已开窗口的掩模及其下方待刻蚀的材料。要求Plasma对掩模材料的刻蚀速率低于对衬底材料的刻蚀速率。这就是选择性的意思。 (3)边缘剖面的控制———些因素干扰了准确地复制图形。 1钻蚀(Undercutting)。由于离子几乎垂直地入射到衬底表面,因此片子正底面接收到的离子流要比sidewall接收到的离子流要大得多。如果是离子诱发反应,则没有横向刻蚀。但如果是离