和普通的双极晶体管相比,由于SiGe HBT异质结晶体管具有更高的速度,因此被用来制作高速集成电路。本文介绍SiGe工艺PIN探测器和HBT集成的器件结构接收器电路结构及OEIC性能。 如图所示,PD为PIN探测器,Q2为共射输入级,Q3和Q6为射级跟随器,Qt、Q4和Q5为电平移位二极管。由于高速晶体管的击穿电压通常较小,Qt和Q5分别减小了Q2和Q6的集电极-发射极电压差UCE以避免晶体管被击穿。YDD和Ygg是为了分别使PIN和放大器工作在最佳状态下,yDD应该足够大以增加探测器耗尽区宽度,适当的Vgg使各个晶体管被偏置在合适的静态工作点上。电阻FF负反馈形成跨阻结构,其值大小决定