元器件内芯片的堆叠大部分是采用金线键合的方式(Wire Bonding),堆叠层数可以从2~8层)。 STMICRO声称,诲今厚度到40μm的芯片可以从2个堆叠到8个(SRAM,Hash和DRAM),40μm的芯片堆叠8个总 厚度为1.6 mm,堆叠两个厚度为0.8 mm。如图1所示。 图1 元器件内芯片的堆叠 堆叠元器件(Amkor PoP)典型结构如图2所示: ·底部PSvfBGA(Package Stackable very thin fine pitch BGA); ·顶部Stacked CSP(FBGA, Fine pitch BGA)。 图2 堆叠元器件实行结