1)静态特性及参数 (1)输出特性:MOSFET的输出特性如图所示,其特点是栅一源电压UGS控制漏极电流ID。 (2)漏极(额定)电流ID:MOSFET的电流容量(幅值)(如DGS=10V)。 (3)漏一源击穿电压BUDS是指该型号MOSFET或该管最大瞬时电压的耐压,当漏一源电压UDS超过BUDS时,漏一源极之间雪崩效应电流激增9瞬间 局部过热损坏。BUDS为正愠度系数,结温每升高10°C,BUDS约增大1%。 (4)开启电压UGS(th),又称为阈值电压,如3.2V、1.5V。栅一源电压超过此值时,漏极电流由小到显着增大;如图1(a)中UGS=3.5V曲线已明显 离开